三言财经2月8日消息，针对有网友称小米澎湃P1芯片非自研一事，上海南芯半导体科技股份有限公司今日发文称，小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号SC8561），该芯片具备超高压4：1充电架构，实现了 120W 单电芯充电，，支持1：1、2：1和4：1的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。

南芯半导体于2021年9月发布的南芯SC8571，为超高压4:2充电架构，可实现120W双电芯充电，针对超大功率充电需求，支持4:2、2:2两种模式。

小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能，不同定位的两颗充电芯片。

今日上午，有网友发文称小米自研的澎湃P1芯片实际上是购买而非自研。

2021年12月，小米发布了自研的第三款芯片澎湃P1，并且小米 12 Pro搭载该充电芯片，使得行业首次实现“120W单电芯”充电技术。

以下是全文：