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三言财经 4月29日消息，今日，三星电子宣布，将在本季度 (即未来几周内) 开始使用3GAE (早期3nm级栅极全能) 工艺进行大规模生产。这不仅标志着业界首创3nm级制造技术，也是首个使用环栅场效应晶体管 (GAAFETs) 的节点。
三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。
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